收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶
Monocrystalline silicon of solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准由有研半导体材料股份公司、万向硅峰电子股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安隆基硅材料有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司起草。
本标准主要起草人:孙燕、张果虎、卢立延、楼春兰、蒋建国、曹宇、孙世龙、袁文强。
-
适用范围:
本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法,检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
SEMIMF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位:
洛阳鸿泰半导体有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
万向硅峰电子股份有限公司
上海九晶电子材料股份有限公司
有研半导体材料股份公司
西安隆基硅材料有限公司
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11497-2015
砷化镓晶片热稳定性的试验方法
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
GB/T 30861-2014
太阳能电池用锗衬底片
-
GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片
-
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
GB/T 30858-2014
蓝宝石单晶衬底抛光片
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
GB/T 26065-2010
硅单晶抛光试验片规范