收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅
Solar-grade polycrystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、中国电子技术标准化研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所、中国电子材料行业协会、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司。
本标准主要起草人:杨玉安、袁金满、孙世龙、刘筠、贺东江、汪义川、鲁瑾、曹宇、梁洪。
-
适用范围：
本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及订货单（或合同）内容等。
本标准适用于以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T4059 硅多晶气氛区熔磷检验方法
GB/T4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
SEMIMF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
中国电子技术标准化研究所
洛阳中硅高科技有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
中国电子材料行业协会
四川新光硅业科技有限责任公司
西安隆基硅材料股份有限公司
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
SJ/T 11488-2015
半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
-
GB 12963-1991
硅多晶
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
GB/T 13387-2009
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
GB/T 6621-2009
硅片表面平整度测试方法
-
YS/T 978-2014
单晶炉碳/碳复合材料导流筒
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 29850-2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
打开设置，点击
执行注册
