收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
Gallium arsenide single crystal for solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:曾一平、赵有文、提刘旺、崔利杰、向磊、普世坤。
-
适用范围：
本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒（以下简称砷化镓单晶棒）的分类、技术要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
中国科学院半导体研究所
相关人员
关联标准
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
GB/T 5238-2019
锗单晶和锗单晶片
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
GB/T 2881-2014
工业硅
-
SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
YS/T 978-2014
单晶炉碳/碳复合材料导流筒
-
GB/T 14139-2009
硅外延片
-
YS/T 977-2014
单晶炉碳/碳复合材料保温筒
-
GB/T 25074-2017
太阳能级多晶硅
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
YS/T 1160-2016
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
-
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
打开设置，点击
执行注册
