GB/T 26218.2-2010

污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第2部分：交流系统用瓷和玻璃绝缘子

Selection and dimensioning of high-voltage insulator intended for use in polluted conditinos - Part 2: Ceramic and glass insulators for a.c.systems

2011-01-14

2011-07-01

暂无

实施公告【关于批准发布《人机界面标志标识的基本和安全规则操作规则》等611项国家标准的公告】

GB/T26218《污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定》分为5个部分:
———第1部分:定义、信息和一般原则
———第2部分:交流系统用瓷和玻璃绝缘子
———第3部分:交流系统用聚合物绝缘子
———第4部分:直流系统用瓷和玻璃绝缘子
———第5部分:直流系统用聚合物绝缘子
本部分为GB/T26218的第2部分。
本部分修改采用了IEC/TS60815-2:2008《污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第2部分:交流系统用瓷和玻璃绝缘子》(英文版)。
本部分与IEC/TS60815-2相比,在8.1中增加了双层伞外形,在图中增加了示出双层伞盘形悬式外形的图7,将IEC/TS60815-2中交替伞中的三层伞盘形悬式与双层伞盘形悬式列入同一类型。
考虑到我国国情,在采用IEC/TS60815-1:2008时,本部分还作了一些修改。有关技术性差异已编入正文并在它们所涉及的条款的页边空白处用垂直单线(︱)标识。在附录A 中给出了这些技术性差异及其原因的一览表以供参考。
为便于使用,本部分还做了下列编辑性修改:
a) “本技术规范”一词改为“本部分”;
b) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
c) 删除IEC/TS60815-1:2008的前言;
d) 将3.2的编号改为3.1.1,将3.3的编号改为3.1.2,将3.4的编号改为3.2。
除上述d)中的编辑性修改和增加了附录A 外,本部分其余章条编号和IEC/TS60815-2:2008一致。
第 1部分和本部分涵盖了GB/T5582—1993和所有的技术内容。本部分与GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相比,相关的技术内容变化如下:本部分规定了RUSCD的确定方法和较全面的对其校正的方法。GB/T5582—1993和GB/T16434—1996虽然都规定了爬电比距分级数值(与本部分规定的RUSCD 意义相同),但均未规定按外形适应性、外形参数、以及按海拔、绝缘子直径校正爬电比距的方法。
本部分规定了较全面的人工污秽试验参数。GB/T5582—1993虽然规定了人工污秽耐受值(与本部分规定的RUSCD意义相同),但仅涉及了固体层法,未规定盐雾法。而且在固体层法中只考虑了ESDD,未考虑NSDD。GB/T16434—1996未规定人工污秽试验参数。
GB/T26218的第1部分与GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相关的技术内容变化见该部分的前言。
本部分和第1部分代替GB/T5582—1993《高压电力设备外绝缘污秽等级》、GB/T16434—1996《高压架空线路和发电厂、变电所环境污秽分级及外绝缘选择标准》。
本部分的附录A 为资料性附录。
本部分由中国电器工业协会提出。
本部分由全国绝缘子标准化委员会归口(SAC/TC80)。
本部分起草单位:西安高压电器研究院有限责任公司西安电瓷研究所、重庆大学、清华大学、国网电力科学研究院、中国电力科学研究院、南方电网超高压输电公司、苏州电瓷厂有限公司、唐山高压电瓷有限公司、NGK唐山电瓷有限公司、自贡赛迪维尔有限公司、西安西电高压电瓷有限责任公司、南京电气(集团)有限公司、大连电瓷有限公司、浙江电力试验研究院。
本部分主要起草人:李大楠、姚君瑞、舒立春、梁曦东、蒋兴良、杨迎建、吴光亚、宿志一、范建斌、肖勇、陆洲、杨明、董刚、何勇、王卫国、石玉秉、张继军、叶自强、王云鹏。

GB/T 26218的本部分适用于污秽条件下交流系统用瓷和玻璃绝缘子的选择和尺寸确定。本部分规定了所设定绝缘子在一定污秽环境下得出其可能性能的判断方法的特定导则和原理。
GB/T 26218.1适用于本部分。本部分的结构基础以及方法在GB/T 26218.1有详细的说明。

下列文件中的条款通过GB/T26218的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
GB/T2900.8 电工术语 绝缘子(GB/T2900.8—2009,IEC60050-471:2007,IDT)
GB/T4585 交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验(GB/T4585—2004,IEC60507:1991,IDT)
GB/T26218.1 污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第1部分:定义、信息和一般原则(GB/T26218.1—2010,IEC/TS60815-1:2008,MOD)

GB/T 16434-1996 GB/T 5582-1993

GB/T 2900.8 GB/T 4585 GB/T 26218.1

清华大学 重庆大学 国网电力科学研究院 中国电力科学研究院 NGK唐山电瓷有限公司 南方电网超高压输电公司 浙江电力试验研究院 苏州电瓷厂有限公司 南京电气（集团）有限公司 唐山高压电瓷有限公司 西安高压电器研究院有限责任公司西安电瓷研究所 自贡赛迪维尔有限公司 西安西电高压电瓷有限责任公司 大连电瓷有限公司

80) 全国绝缘子标准化委员会(SAC/TC

80) 全国绝缘子标准化委员会(SAC/TC