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GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 25188-2010
  • 名称：
    硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
  • 英文名称：
    Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2010-09-26
  • 实施日期：
    2011-08-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口。
    本标准起草单位:中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。
    本标准起草人:刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美。
  • 适用范围：
    本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 22461 GB/T 19500 GB/T 21006 GB/T 22571
相关部门
  • 起草单位：
    中国计量科学研究院 中国科学院化学研究所
  • 提出部门：
    全国微束分析标准化技术委员会
  • 归口单位：
    全国微束分析标准化技术委员会
  • 主管部门：
    全国微束分析标准化技术委员会
相关人员
暂无
关联标准