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GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶

Germanium single crystal for solar cell
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 26072-2010
  • 名称:
    太阳能电池用锗单晶
  • 英文名称:
    Germanium single crystal for solar cell
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2011-01-10
  • 实施日期:
    2011-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《紧固件 质量保证体系》等410项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    【 电气工程(29) 半导体材料(29.045) 】
  • CCS分类:
    【 冶金(H) 半金属与半导体材料(H80/84) 元素半导体材料(H82) 】
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
    本标准由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司负责起草。
    本标准由南京中锗科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、厦门乾照光电有限公司参加起草。
    本标准主要起草人:惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武。
  • 适用范围:
    本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。
    本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。
  • 引用标准:
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T4326 非本征半导体单晶 霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
    GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
    GB/T26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 1550 GB/T 1555 GB/T 4326 GB/T 5252 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 26074
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位:
    云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
相关人员
暂无
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