收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶
Germanium single crystal for solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司负责起草。
本标准由南京中锗科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、厦门乾照光电有限公司参加起草。
本标准主要起草人:惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武。
-
适用范围：
本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。
本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T4326 非本征半导体单晶 霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 15-1991
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
-
GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片
-
YS/T 989-2014
锗粒
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
GB 2881-1991
工业硅技术条件
-
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
-
YS/T 223-1996
硒
-
GB 12965-1991
硅单晶切割片和研磨片
-
YS 68-2004
砷
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
打开设置，点击
执行注册
