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GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 26070-2010
  • 名称:
    化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
  • 英文名称:
    Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2011-01-10
  • 实施日期:
    2011-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《紧固件 质量保证体系》等410项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    冶金(77) 金属材料试验(77.040) 金属材料的其他试验方法(77.040.99)
  • CCS分类:
    冶金(H) 金属化学分析方法(H10/19) 半金属及半导体材料分析方法(H17)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
    本标准由中国科学院半导体研究所负责起草。
    本标准主要起草人:陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立。
  • 适用范围:
    1.1 本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
    1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位:
    中国科学院半导体研究所
相关人员
暂无
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