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GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
基本信息
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
    本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司。
    本标准主要起草人:曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯。
  • 适用范围：
    1.1　本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
    1.2　被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05 Ω·cm～1 Ω·cm之间。
    注： 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。
    1.3　分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1553-2009 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 11446.1 GB/T 13389 GB/T 14264 YS/T 679-2008 SEMI MF978 SEMI MF1388 SEMI MF1530
相关部门
  • 归口单位：
    2) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC
  • 主管部门：
    2) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC
  • 起草单位：
    中国计量科学研究院 瑟米莱伯贸易(上海)有限公司 有研半导体材料股份有限公司 洛阳单晶硅有限责任公司 万向硅峰电子有限公司 广州昆德科技有限公司
相关人员
暂无
关联标准