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GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范
Specification for polished test silicon wafers
基本信息
分类信息
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ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人:宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧。
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适用范围：
1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。
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引用标准：
v下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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