收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范
Specification for polished test silicon wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人:宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧。
-
适用范围：
1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。
-
引用标准：
v下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6621 硅片表面平整度测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T12964 硅单晶抛光片
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
SEMI24 硅单晶优质抛光片规范
ASTMF1526 表面金属含量测量
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
YS/T 985-2014
硅抛光回收片
-
GB/T 12963-2014
电子级多晶硅
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
打开设置，点击
执行注册
