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GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范

Specification for polished test silicon wafers
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 26065-2010
  • 名称:
    硅单晶抛光试验片规范
  • 英文名称:
    Specification for polished test silicon wafers
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2011-01-10
  • 实施日期:
    2011-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
分类信息
描述信息
  • 前言:
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
    本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
    本标准主要起草人:宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧。
  • 适用范围:
    1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
    1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm~300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
    1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格,如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等,参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。
  • 引用标准:
    v下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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    GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
    GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
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    GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
    GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
    GB/T14140 硅片直径测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
    YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
    SEMI24 硅单晶优质抛光片规范
    ASTMF1526 表面金属含量测量
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 1550 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 2828.1 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GB/T 11073 GB/T 12964 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 YS/T 26 SEMI 24 ASTM F1526
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位:
    杭州海纳半导体有限公司 宁波立立电子股份有限公司
相关人员
暂无