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GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 26066-2010
  • 名称：
    硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
  • 英文名称：
    practice for shallow etch pit detection on silicon
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2011-01-10
  • 实施日期：
    2011-10-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《紧固件 质量保证体系》等410项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
    本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。
    本标准主要起草人:田素霞、张静雯、王文卫、周涛。
  • 适用范围：
    本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
    本标准适用于检测〈111〉或〈100〉晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 14264
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位：
    洛阳单晶硅有限责任公司
相关人员
暂无
关联标准