收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
practice for shallow etch pit detection on silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。
本标准主要起草人:田素霞、张静雯、王文卫、周涛。
-
适用范围：
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测〈111〉或〈100〉晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 28-1992
硅片包装
-
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母数字标志规范
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
GB/T 31475-2015
电子装联高质量内部互连用焊锡膏
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 16596-1996
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
GB/T 20228-2006
砷化镓单晶
打开设置，点击
执行注册
