收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
Silicon-based MEMS fabrication technology - Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area基本信息
- 标准号:GB/T 28277-2012
- 名称:硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
- 英文名称:Silicon-based MEMS fabrication technology - Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2012-05-11
- 实施日期:2012-12-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国电子科技集团第四十九研究所。
本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、田雷。 - 适用范围:本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。 - 引用标准:下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T26111—2010 微机电系统(MEMS)技术 术语和定义
GB/T19022—2003 测量管理体系 测量过程和测量设备的要求
相关标准
- 引用标准:GB/T 26111-2010 GB/T 19022-2003
相关部门
- 起草单位:北京大学 中机生产力促进中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国电子科技集团第十三研究所 中国电子科技集团第四十九研究所
- 归口单位:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
- 主管部门:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
相关人员
暂无
关联标准
- GB/T 16523-1996 圆形石英玻璃光掩模基板规范
- SJ/Z 11353-2006 集成电路IP核转让规范
- SJ/T 11699-2018 IP核可测性设计指南
- GB/T 14113-1993 半导体集成电路封装术语
- GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
- GB/T 15297-1994 微电路模块机械和气候试验方法
- GB/T 8976-1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范
- GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路
- GB/T 11497.1-1989 半导体集成电路CMOS电路系列和品种 54/74 HC 系列的品种
- GB/T 16878-1997 用于集成电路制造技术的检测图形单元规范
- GB/T 11498-2018 半导体器件 集成电路 第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)
- GB/T 11498-1989 膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序) (可供认证用)
- GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
- GB/T 5965-2000 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范
- GB/T 16465-1996 膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用能力批准程序)
- SJ/T 11700-2018 IP核质量信息描述方法
- GB/T 15878-1995 小外形封装引线框架规范
- GB/T 26113-2010 微机电系统(MEMS)技术 微几何量评定总则
- GB 11498-1989 膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)(可供认证用)
- GB/T 26113-2010e 微机电系统(MEMS)技术微几何量评定总则