收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范
Silicon-based MEMS fabrication technology - Specification for the dissolved wafer process
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
集成电路、微电子学(31.200)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
微电路(L55/59)
微电路综合(L55)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团第十三研究所、中机生产力促进中心、北京大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所。
本标准主要起草人:崔波、罗蓉、刘伟、张大成、熊斌、陈海蓉。
-
适用范围:
本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。
本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB50073—2001 洁净厂房设计规范
GB/T19022—2003 测量管理体系 测量过程和测量设备的要求
GB/T26111—2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
相关标准
相关部门
-
起草单位:
北京大学
中机生产力促进中心
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国电子科技集团第十三研究所
-
归口单位:
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
-
主管部门:
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
相关人员
关联标准
-
GB/T 38762.3-2020
产品几何技术规范(GPS) 尺寸公差 第3部分:角度尺寸
-
SJ 20938-2005
微波电路变频测试方法
-
SJ/T 10741-2000
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理
-
GB/T 38762.1-2020
产品几何技术规范(GPS) 尺寸公差 第1部分:线性尺寸
-
GB/T 19248-2003
封装引线电阻测试方法
-
GB/T 19403.1-2003
半导体器件 集成电路 第11部分:第1篇:半导体集成电路 内部目检 (不包括混合电路)
-
GB/T 13067-1991
半导体集成电路系列和品种 石英电子钟表用系列的品种
-
GB/T 15650-1995
半导体集成电路系列和品种 CMOS门阵列电路系列的品种
-
GB/T 17574.10-2003
半导体器件 集成电路 第2-10部分:数字集成电路 集成电路动态读/写存储器空白详细规范
-
T/CIE 067-2020
工业级高可靠集成电路评价 第1部分:AC/DC电路
-
GB/T 14619-1993
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
-
GB/T 16526-1996
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
-
GB/T 15877-2013
半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范
-
GB/T 36477-2018
半导体集成电路 快闪存储器测试方法
-
SJ/T 11706-2018
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法
-
GB/T 35004-2018
数字集成电路 输入/输出电气接口模型规范
-
GB/T 12750-2006
半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)
-
GB/T 17574.9-2006
半导体器件 集成电路 第2-9部分:数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
-
SJ/T 10805-2018
半导体集成电路 电压比较器测试方法
-
SJ/Z 11354-2006
集成电路模拟/混合信号IP核规范