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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
Silicon-based MEMS fabrication technology - Specification for KOH etch process
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
微电路综合（L55）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集团第四十九研究所、中机生产力促进中心。
本标准主要起草人:夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟。
-
适用范围：
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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相关标准
相关部门
-
起草单位：
重庆大学
中机生产力促进中心
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
东南大学
中国电子科技集团第四十九研究所
-
归口单位：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
-
主管部门：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
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