收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
Silicon-based MEMS fabrication technology - Specification for KOH etch process
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
微电路综合（L55）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集团第四十九研究所、中机生产力促进中心。
本标准主要起草人:夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟。
-
适用范围：
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T26111—2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T1031—2009 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
GB50073—2001 洁净厂房设计规范
相关标准
相关部门
-
起草单位：
重庆大学
中机生产力促进中心
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
东南大学
中国电子科技集团第四十九研究所
-
归口单位：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
-
主管部门：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
相关人员
关联标准
-
GB 11498-1989
膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)(可供认证用)
-
GB/T 11498-2018
半导体器件 集成电路 第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)
-
GB/T 14619-1993
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
-
GB/T 19403.1-2003
半导体器件 集成电路 第11部分:第1篇:半导体集成电路 内部目检 (不包括混合电路)
-
GB/T 35008-2018
串行NOR型快闪存储器接口规范
-
GB/T 35010.6-2018
半导体芯片产品 第6部分：热仿真要求
-
SJ 20938-2005
微波电路变频测试方法
-
GB/T 14024-1992
内燃机电站无线电干扰特性的测量方法及允许值 传导干扰
-
SJ/Z 11353-2006
集成电路IP核转让规范
-
GB/T 6813-1986
半导体集成非线性电路系列和品种 时基电路的品种
-
GB/T 18500.2-2001
半导体器件 集成电路 第4部分:接口集成电路 第二篇:线性模拟/数字转换器(ADC)空白详细规范
-
GB/T 26112-2010
微机电系统（MEMS）技术 微机械量评定总则
-
GB/T 35009-2018
串行NAND型快闪存储器接口规范
-
GB/T 12842-1991
膜集成电路和混合膜集成电路术语
-
GB/T 5965-2000
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范
-
GA/T 1171-2014
芯片相似性比对检验方法
-
GB/T 17571-1998
碱性二次电池和电池组 扣式密封镉镍可充整体电池组
-
SJ 20802-2001
集成电路金属外壳目检标准
-
GB/T 38446-2020
微机电系统（MEMS）技术 带状薄膜抗拉性能的试验方法
-
GB/T 4377-1996
半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
打开设置，点击
执行注册
