收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则
Silicon-based MEMS fabrication technology - The basic regulation of layout design
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
微电路综合（L55）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、西北工业大学。
本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、乔大勇。
-
适用范围：
本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T26111—2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
相关标准
相关部门
-
起草单位：
北京大学
西北工业大学
中机生产力促进中心
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国电子科技集团第十三研究所
-
归口单位：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
-
主管部门：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11700-2018
IP核质量信息描述方法
-
SJ/Z 11351-2006
用于描述、选择和转让的集成电路IP核属性格式标准
-
GB/T 36477-2018
半导体集成电路 快闪存储器测试方法
-
GB/T 7092-1993
半导体集成电路外形尺寸
-
SJ/T 11703-2018
数字微电子器件封装的串扰特性测试方法
-
GB/T 35086-2018
MEMS电场传感器通用技术条件
-
GB/T 34898-2017
微机电系统（MEMS）技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法
-
SJ 52438/14-2004
混合集成电路HPA501J型功率放大器详细规范
-
GB/T 35011-2018
微波电路 压控振荡器测试方法
-
GB/T 14027.3-1992
半导体集成电路通信电路系列和品种 模拟开关阵列系列品种
-
GB/T 6815-1986
半导体集成非线性电路系列和品种 锁相环的品种
-
DB44/T 1903-2016
广东省线路板特性阻抗测试方法 时域反射法
-
GB/T 15877-1995
蚀刻型双列封装引线框架规范
-
GB/T 35003-2018
非易失性存储器耐久和数据保持试验方法
-
GB/T 35010.3-2018
半导体芯片产品 第3部分：操作、包装和贮存指南
-
GB/T 17865-1999
焦深与最佳聚焦的测量规范
-
SJ 20954-2006
集成电路锁定试验
-
GB/T 35006-2018
半导体集成电路 电平转换器测试方法
-
GB/T 17571-1998
碱性二次电池和电池组 扣式密封镉镍可充整体电池组
-
SJ 2817-1987
膜集成电路和混合集成电路外形尺寸
打开设置，点击
执行注册
