收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则
Silicon-based MEMS fabrication technology - The basic regulation of layout design
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
微电路综合（L55）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、西北工业大学。
本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、乔大勇。
-
适用范围：
本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T26111—2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
相关标准
相关部门
-
起草单位：
北京大学
西北工业大学
中机生产力促进中心
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国电子科技集团第十三研究所
-
归口单位：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
-
主管部门：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC
336)
相关人员
关联标准
-
GB/T 6798-1996
半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
-
SJ/T 10741-2000
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理
-
GB/T 16526-1996
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
-
SJ/Z 11351-2006
用于描述、选择和转让的集成电路IP核属性格式标准
-
GB/T 13067-1991
半导体集成电路系列和品种 石英电子钟表用系列的品种
-
GB/T 15862-1995
离子注入机通用技术条件
-
GB/T 15879-1995
半导体器件的机械标准化 第5部分:用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值
-
GB/T 14619-1993
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
-
GB/T 14024-1992
内燃机电站无线电干扰特性的测量方法及允许值 传导干扰
-
GB 11498-1989
膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)(可供认证用)
-
GB/T 11497.1-1989
半导体集成电路CMOS电路系列和品种 54/74 HC 系列的品种
-
SJ/T 2406-2018
微波电路型号命名方法
-
GB/T 20515-2006
半导体器件 集成电路 第5部分：半定制集成电路
-
GB/T 4855-1984
半导体集成电路线性放大器系列和品种
-
GB/T 9425-1988
半导体集成电路运算放大器空白详细规范 (可供认证用)
-
GB/T 16523-1996
圆形石英玻璃光掩模基板规范
-
SJ/Z 11353-2006
集成电路IP核转让规范
-
GB/T 15877-2013
半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范
-
GB/T 35010.4-2018
半导体芯片产品 第4部分：芯片使用者和供应商要求
-
SJ/T 10805-2018
半导体集成电路 电压比较器测试方法
打开设置，点击
执行注册
