GB/T 15861-2012

离子束蚀刻机通用规范

General specification of ion beam etching system

现行

国家标准

推荐性

2012-11-05

2013-02-15

暂无

实施公告【关于批准发布《信息技术射频识别2.45GHz空中接口协议》等2项国家标准的公告】

暂无

暂无

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T15861—1995《离子束蚀刻机通用技术条件》。
本标准与GB/T15861—1995相比主要变化如下:
———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替,SJ2573—1985由SJ/T10674—1995代替;
———环境温度调整为20℃±10℃[见5.1a)];
———束能量范围调整为0~2000eV,可调(见5.4.1);
———表1中束流密度0.5mA/cm2 调整为≥0.3mA/cm2,1mA/cm2 调整为0.8mA/cm2(见表1);
增加束能量为2000eV 时束流密度≥1mA/cm2(见表1);
———有效束径规格增加了.50和.100两种,去掉了.60(见5.4.4);
———中和方式增加了“电子源中和器”(见5.4);
———对束流密度检测方法进行了更清楚的表述(见6.4.2);
———“膜厚均匀性为±5%的蚀刻样片”改为“膜厚均匀性优于±2%、厚度2μm、制备了掩膜图案的蚀刻样片”(见6.4.10);
———检验规则去掉例行检验项(见7);
———增加包装前检查的条款(见8.2.1)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。
本标准主要起草人:陈特超、周大良。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T15861—1995。

本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存。
本标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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GB/T 15861-1995

GB/T 191 GB/T 4857.7-2005 GB/T 5080.7-1986 GB/T 6388-1986 GB/T 13384-1992 SJ/T 142 SJ/T 1276 SJ/T 10674

中国电子技术标准化研究所

中国电子技术标准化研究所

中国电子科技集团公司第四十八研究所