收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检
Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination基本信息
- 标准号:GB/T 4937.3-2012
- 名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检
- 英文名称:Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2012-11-05
- 实施日期:2013-02-15
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:
———第1部分:总则;
———第2部分:低气压;
———第3部分:外部目检;
———第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
———第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
———第6部分:高温贮存;
———第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
———第8部分:密封;
———第9部分:标志耐久性;
———第10部分:机械冲击;
———第11部分:快速温度变化 双液槽法;
———第12部分:变频振动;
———第13部分:盐气;
———第14部分:引线牢固性(引线强度);
———第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
———第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
———第17部分:中子辐射;
———第18部分:电离辐射(总剂量);
———第19部分:芯片剪切强度;
———第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;
———第21部分:可焊性;
———第22部分:键合强度;
———第23部分:高温工作寿命;
———第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验;
———第25部分:温度循环;
———第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模式(HBM);
———第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模式(MM);
———第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 器件带电模式(CDM)(考虑中);
———第29部分:门锁试验;
———第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
———第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
———第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
———第34部分:功率循环;
———第35部分:塑封电子元器件的声学扫描;
———第36部分:恒定加速度;
———第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法; ———第38部分:半导体器件的软错误试验方法;
———第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量。
本部分是GB/T4937的第3部分。
本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC60749-3:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:
外部目检》。
为便于使用,本部分做了下列编辑性修改:
a) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
b) 删除国际标准的前言。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本部分主要起草人:陈海蓉、李丽霞、崔波。 - 适用范围:GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。
- 引用标准:暂无
相关标准
- 采用标准:IEC 60749-3:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 (等同采用 IDT)
相关部门
- 起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
- 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
- 主管部门:工业和信息化部(电子)
相关人员
暂无
关联标准
- SJ 1609-1980 硅双基极二极管分压比的测试方法
- SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
- GB/T 4937.15-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热
- GB/T 18910.1-2002 液晶和固态显示器件 第1部分:总规范
- JB/T 11050-2010 交流固态继电器
- SJ 1603-1980 硅双基极二极管基极间电阻的测试方法
- GB/T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固性)
- GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器
- GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度
- GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾
- GB 12560-1990 半导体器件 分立器件分规范 (可供认证用)
- GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范
- GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
- DB61/T 1250-2019 陕西省Sic(碳化硅)材料半导体分立器件通用规范
- GB/T 4937.20-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响
- GB/T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法
- T/IAWBS 004-2017 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法
- SJ 50033/157-2002 半导体分立器件 3DA506型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
- GB/T 22181.21-2008 等离子体显示器件 第2-1部分:光学参数测量方法
- SJ 50033/160-2002 半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范