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GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检

Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 4937.3-2012
  • 名称:
    半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检
  • 英文名称:
    Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2012-11-05
  • 实施日期:
    2013-02-15
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《信息技术射频识别2.45GHz空中接口协议》等2项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电子学(31) 半导体分立器件(31.080) 半导体分立器件综合(31.080.01)
  • CCS分类:
    电子元器件与信息技术(L) 半导体分立器件(L40/49) 半导体分立器件综合(L40)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:
    ———第1部分:总则;
    ———第2部分:低气压;
    ———第3部分:外部目检;
    ———第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
    ———第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
    ———第6部分:高温贮存;
    ———第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
    ———第8部分:密封;
    ———第9部分:标志耐久性;
    ———第10部分:机械冲击;
    ———第11部分:快速温度变化 双液槽法;
    ———第12部分:变频振动;
    ———第13部分:盐气;
    ———第14部分:引线牢固性(引线强度);
    ———第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
    ———第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
    ———第17部分:中子辐射;
    ———第18部分:电离辐射(总剂量);
    ———第19部分:芯片剪切强度;
    ———第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;
    ———第21部分:可焊性;
    ———第22部分:键合强度;
    ———第23部分:高温工作寿命;
    ———第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验;
    ———第25部分:温度循环;
    ———第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模式(HBM);
    ———第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模式(MM);
    ———第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 器件带电模式(CDM)(考虑中);
    ———第29部分:门锁试验;
    ———第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
    ———第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
    ———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
    ———第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
    ———第34部分:功率循环;
    ———第35部分:塑封电子元器件的声学扫描;
    ———第36部分:恒定加速度;
    ———第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法; ———第38部分:半导体器件的软错误试验方法;
    ———第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量。
    本部分是GB/T4937的第3部分。
    本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本部分使用翻译法等同采用IEC60749-3:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:
    外部目检》。
    为便于使用,本部分做了下列编辑性修改:
    a) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
    b) 删除国际标准的前言。
    本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
    本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
    本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
    本部分主要起草人:陈海蓉、李丽霞、崔波。
  • 适用范围:
    GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 采用标准:
    IEC 60749-3:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 (等同采用 IDT)
相关部门
  • 起草单位:
    中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 归口单位:
    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
  • 主管部门:
    工业和信息化部(电子)
相关人员
暂无
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