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YS/T 840-2012 再生硅料分类和技术条件
Classification and technical specification for renewable crystal silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
有色金属产品（77.150）
其他有色金属产品（77.150.99）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
有色金属及其合金产品（H60/69）
贵金属及其合金（H68）
】
-
行标分类：
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:西安隆基硅材料股份有限公司。
本标准主要起草人:李振国、钟宝申、赵可武、张群社。
本标准系首次发布。
-
适用范围：
本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。
本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料，来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅（碳头料）、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T24579 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
SEMIPV1 用高分辨率辉光放电光谱测定法测定太阳能级硅中的痕量元素
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