收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片
Multi-crystalline silicon wafer for solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。
本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、孙世龙、游达、朱华英、刘林艳、段育红。
-
适用范围：
本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T29054 太阳能级铸造多晶硅块
SEMIMF1535 用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
宁波晶元太阳能有限公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
YS/T 978-2014
单晶炉碳/碳复合材料导流筒
-
GB/T 13387-2009
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
-
GB/T 35305-2017
太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
GB 12964-1991
硅单晶抛光片
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
GB/T 29849-2013
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
打开设置，点击
执行注册
