收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
Trichlorosilane for silicon epitaxy - Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,molybdenum,arsenic and antimony content - Inductively coupled plasma mass spectrometric method
基本信息
标准号:
GB/T 29056-2012
名称:
硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
英文名称:
Trichlorosilane for silicon epitaxy - Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,molybdenum,arsenic and antimony content - Inductively coupled plasma mass spectrometric method
状态:
现行
类型:
国家标准
性质:
推荐性
发布日期:
2012-12-31
实施日期:
2013-10-01
废止日期:
暂无
相关公告:
实施公告【关于批准发布《锚链涂漆和标志》等722项国家标准和47项国家标准样品的公告】
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
ICS分类:
【
电子学(31)
电子技术专用材料(31.030)
】
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
电子设备与专用材料、零件、结构件(L90/94)
电子技术专用材料(L90)
】
行标分类:
暂无
描述信息
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:南京中锗科技股份有限公司、南京大学现代分析中心、南京大学国家863计划新材料MO 源研究开发中心。 本标准主要起草人:郑华荣、刘新军、龚磊荣、张莉萍、黄和明、陈逸君、虞磊。
适用范围:
本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。 本标准适用于硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。各元素测定范围见表1。
引用标准:
暂无
相关标准
相关部门
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
起草单位:
南京中锗科技股份有限公司
南京大学现代分析中心
南京大学国家863计划新材料MO源研究开发中心
相关人员
关联标准
SJ/T 11198-1999
黑白显象管、单色显示管和电光源用玻管
GB/T 28859-2012
电子元器件用环氧粉末包封料
JB/T 9495.5-1999
光学晶体散射颗粒度测量方法
SJ/T 11018-2016
电子器件用纯银钎料的分析方法 燃烧碘量法测定硫
QB/T 2261-1996
灯用卤磷酸钙荧光粉发射光谱及色坐标的测试方法
GB/T 32643-2016
平板显示器基板玻璃表面波纹度的测量方法
GB/T 36965-2018
光伏组件用乙烯—醋酸乙烯共聚物交联度测试方法 差示扫描量热法
JB/T 6173-2014
免清洗无铅助焊剂
SJ/T 3328.5-2016
电子产品用高纯石英砂 第5部分 铁的测定
GB/T 11446.6-2013
电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法
SJ/Z 2321-1983
电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法
JB/T 9493.4-1999
锰铜和新康铜电阻合金化学分析方法 磺基水杨酸光度法测定铁量
DB42/T 1092-2015
湖北省锂离子电池用电解铜箔
JB/T 9493.1-1999
锰铜和新康铜电阻合金化学分析方法 电解重量法测定铜量
SJ 2414-1983
DB-495电真空玻璃主要技术数据
GB/T 3389.5-1995
压电陶瓷材料性能测试方法 圆片厚度伸缩振动模式
SJ 2411-1983
DB-442电真空玻璃主要技术数据
SJ 2415-1983
DT-841电真空玻璃主要技术数据
GB/T 32652-2016
多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料
GB 11297.7-1989
锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法