收藏到云盘
纠错反馈
DB65/T 3485-2013 新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母数字标志规范
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 26071-2018
太阳能电池用硅单晶片
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量