收藏到云盘
纠错反馈
DB65/T 3485-2013 新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
SJ/T 11491-2015
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 13387-2009
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
-
YS/T 982-2014
氢化炉碳/碳复合材料U形发热体
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱