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GB/T 3859.2-2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则

Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-2: Application guide
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 3859.2-2013
  • 名称:
    半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则
  • 英文名称:
    Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-2: Application guide
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2013-07-19
  • 实施日期:
    2013-12-02
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
分类信息
描述信息
  • 前言:
    GB/T3859《半导体变流器》分为以下几个部分:
    ———第1-1部分:基本要求规范;
    ———第1-2部分:应用导则;
    ———第1-3部分:变压器和电抗器;
    ———第2部分:包括直接直流变流器的半导体自换相变流器。
    本部分为GB/T3859的第1-2部分。
    本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本部分代替GB/T3859.2—1993《半导体变流器 应用导则》。
    本部分与GB/T3859.2—1993相比,主要技术变化如下:
    ———修改了标准名称;
    ———调整了文本结构,使之尽量与IEC/TR60146-1-2:2011一致;
    ———删除了“主题内容”,修改了“适用范围”(见第1章,1993年版第1章);
    ———调整了“引用文件”(见第2章,1993年版第2章);
    ———调整并修改了“术语和定义”(见第3章,1993年版第3章);
    ———删除了1993年版的第4章“变流器的标志”,相关内容在GB/T3859.1—2013中规定;
    ———修改了“变流器的应用领域”“变流器主要技术参数”“并联和串联联结”和“环境条件与变流器安全运行”(见4.1、4.2、4.5和4.12,1993年版的5.1、5.2、5.4和5.11);
    ———增加了“变流变压器和电抗器”和“过电压保护”(见4.3和4.11);
    ———修改了“换相缺口”和“直流电压的谐波含量”(见5.4.1和5.7,1993年版的6.5.1和6.4);
    ———增加了“故障电流保护”(见9.3);
    ———增加了“几种过电压保护措施”(见附录A);
    ———删除了“触发装置的抗扰性能”和变流器理想网侧谐波电流的计算公式(1993年版的5.12和6.6.2.1);
    ———删除了“环境温度和冷却媒质温度高于规定值时变流器的运行”“变流器在高海拔地区使用时
    电流容量的修正”和“变流器无露运行的温度”(1993年版附录A、附录B和附录C)。
    本部分使用重新起草法修改采用IEC/TR60146-1-2:2011《半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则》。
    本部分与IEC/TR60146-1-2:2011相比,在结构上增加了4条(3.4、4.11~4.12)和一个附录(附录
    A),并将IEC/TR60146-1-2:2011中的4.2.1和4.2.3.1调整为4.2.1,4.2.3.2调整为4.2.2.1,
    4.2.3.3调整为4.2.2.2,4.2.3.4调整为4.2.2.3,4.2.3.5调整为4.2.2.4,4.2.4调整为4.2.3,
    5.10.1和5.10.2调整为5.10.1,5.10.3调整为5.10.2,7.4调整为4.10。
    本部分与IEC/TR60146-1-2:2011的技术性差异及其原因如下:
    ———根据标准条文中的实际引用情况,增加了部分规范性引用文件(见第2章);
    ———增加了“有关谐波的术语”(见3.4);
    ———修改了“应用领域”和“与输出有关的参数”(见4.1和4.2.2.2);
    ———增加了非均一联结和不对称控制适用的公式(见4.6.4.2);
    ———增加了“过电压保护”和“环境条件对变流器运行的影响”(见4.11和4.12);
    ———表10中,变压器缺口深度计算值更正为“0.0331”,网侧缺口深度计算值更正为“0.0332”。
    本部分做了下列编辑性修改:增加了资料性附录A“几种过电压保护措施”。
    本部分由中国电器工业协会提出。
    本部分由全国电力电子学标准化技术委员会(SAC/TC60)归口。
    本部分起草单位:西安电力电子技术研究所、厦门科华恒盛股份有限公司、广东志成冠军集团有限公司、保定莱特整流器股份有限公司、苏州电通电力电子有限公司、青岛经济技术开发区创统科技发展有限公司、卧龙电气集团北京华泰变压器有限公司、北京金自天正智能控制股份有限公司。
    本部分主要起草人:陆剑秋、周观允、蔚红旗、苏先进、李民英、马永斌、孙丹峰、隋学礼、何宝振、杨艳秋、韩宇。
    本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
    ———GB3859—1983、GB/T3859.2—1993。
  • 适用范围:
    本部分给出GB/T 3859.1涵盖的基本要求规范在不同情况下的应用导则,以使GB/T 3859.1中的规定以可控的形态适应于特殊应用。为便于使用GB/T 3859.1,在技术关键点处给出了背景信息。
    本部分主要涵盖电网换相变流器。就现行标准不可能提供必要的资料而言,本部分本身不是规范(除非涉及某些辅助部件)。
  • 引用标准:
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T2900.33—2004 电工术语 电力电子技术(IEC60050-551:1998,IDT)
    GB/T3859.1—2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范(IEC60146-1-1:2009,MOD)
    GB/T3859.3—2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-3部分:变压器和电抗器(IEC60146-1-3:1991,MOD)
    GB4208 外壳防护等级(IP代码)(GB4208—2008,IEC60529:2001,IDT)
    GB/T10236 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则
    GB/T16935.1—2008 低压系统内设备的绝缘配合 第1部分:原理、要求和试验(GB/T16935.1—2008,IEC60664-1:2007,IDT)
    GB/T17950 半导体变流器 第6部分:使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则(GB/T17950—2000,idtIEC60146-6:1992)
    GB/T18494.1 变流变压器 第1 部分:工业用变流变压器(GB/T 18494.1—2001,idtIEC61378-1:1997)
相关标准
  • 代替标准:
    GB/T 3859.2-1993
  • 引用标准:
    GB/T 2900.33-2004 GB/T 3859.1-2013 GB/T 3859.3-2013 GB 4208 GB/T 10236 GB/T 16935.1-2008 GB/T 17950 GB/T 18494.1
  • 采用标准:
    IEC/TR 60146-1-2:2011 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则 (修改采用 MOD)
相关部门
  • 提出部门:
    中国电器工业协会
  • 起草单位:
    西安电力电子技术研究所 广东志成冠军集团有限公司 厦门科华恒盛股份有限公司 卧龙电气集团北京华泰变压器有限公司 青岛经济技术开发区创统科技发展有限公司 北京金自天正智能控制股份有限公司 保定莱特整流器股份有限公司 苏州电通电力电子有限公司
  • 归口单位:
    60) 全国电力电子学标准化技术委员会(SAC/TC
相关人员
暂无