GB/T 3859.3-2013

半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-3部分：变压器和电抗器

Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-3: Transformers and reactors

2013-07-19

2013-12-02

暂无

实施公告【关于批准发布《民用建筑燃气安全技术条件》等186项国家标准的公告】

GB/T3859《半导体变流器》分为以下几个部分:
———第1-1部分:基本要求规范
———第1-2部分:应用导则
———第1-3部分:变压器和电抗器
———第2部分:包括直接直流变流器的半导体自换相变流器
本部分为GB/T3859的第1-3部分。
本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分代替GB/T3859.3—1993《半导体变流器 变压器和电抗器》。
本部分与GB/T3859.3—1993相比,主要技术变化如下:
———修改了标准名称,与采用的国际标准IEC60146-1-3:1991名称一致;
———修改了“范围”(见第1章,1993年版第1章);
———调整了“相关标准”(见第2章,1993年版第2章);
———修改了1993年版的5.1之前的悬置段,并调整为“5.1概述”,第5章中其余的条重新编号(见第5章,1993年版第5章);
———调整了表1和表2的编号;
———增加了温度等级F和相应的温升限值(见表2);
———增加了“海拔超过1000m 时,应按相关标准修正”的规定(见5.4)。
本部分使用重新起草法修改采用IEC60146-1-3:1991《半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-3部分:变压器和电抗器》。
本部分与IEC60146-1-3:1991的技术性差异及其原因如下:
———根据我国标准化工作规则,修改了“范围”(见第1章);
———根据标准条文中的实际引用情况,调整了部分规范性引用文件(见第2章);
———删除了3.2中的悬置段:“温升限值在5.3中规定。”
———修改了表1,从而与GB/T3859.2—2013中相应的表1一致;
———删除了表2中的第2栏限值和注1、注4,从而与我国关于变压器标准的相关规定一致;
———增加了温度等级F和相应的温升限值(见表2);
———增加了“海拔超过1000m 时,应按相关标准修正”的规定(见5.4)。
本部分做了下列编辑性修改:更正了5.1.2、5.3和5.4相应的段中表述的表1和表2的编号。
本部分由中国电器工业协会提出。
本部分由全国电力电子学标准化技术委员会(SAC/TC60)归口。
本部分起草单位:西安电力电子技术研究所、广东志成冠军集团有限公司、青岛经济技术开发区创统科技发展有限公司、卧龙电气集团北京华泰变压器有限公司、北京金自天正智能控制股份有限公司。
本部分主要起草人:陆剑秋、蔚红旗、李民英、隋学礼、何宝振、杨艳秋、罗伟。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB3859—1983、GB/T3859.3—1993。

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GB/T3859.1—2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范(IEC60146-1-1:2009,MOD)
GB/T3859.2—2013 半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-2部分:应用导则(IEC/TR60146-1-2:2011,MOD)

GB/T 3859.1-2013 GB/T 3859.2-2013

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60) 全国电力电子学标准化技术委员会(SAC/TC