收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:孙燕、李莉、卢立延、翟富义、向磊。
-
适用范围：
本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量；也可用于其他类型的平坦晶片材料，但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
有研半导体材料股份有限公司
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅
-
GB/T 25076-2018
太阳能电池用硅单晶
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
GB/T 16596-1996
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
SJ/T 11491-2015
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
打开设置，点击
执行注册
