收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:孙燕、李莉、卢立延、翟富义、向磊。
-
适用范围：
本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量；也可用于其他类型的平坦晶片材料，但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
有研半导体材料股份有限公司
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
YS/T 223-1996
硒
-
GB/T 13387-2009
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 12962-2015
硅单晶
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
-
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
-
SJ/T 11491-2015
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
GB/T 14264-1993
半导体材料术语
-
GB/T 12965-1996
硅单晶切割片和研磨片
打开设置，点击
执行注册
