收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
300mm monocrystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。
-
适用范围：
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551—2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
万向硅峰电子股份有限公司
有研半导体材料股份有限公司
宁波立立电子股份有限公司
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
GB/T 6620-2009
硅片翘曲度非接触式测试方法
-
GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
DB65/T 3486-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
打开设置，点击
执行注册
