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GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
300mm monocrystalline silicon
基本信息
分类信息
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ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。
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适用范围：
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。
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引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
相关标准
相关部门
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起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
万向硅峰电子股份有限公司
有研半导体材料股份有限公司
宁波立立电子股份有限公司
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归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
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主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
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