收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
300mm monocrystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。
-
适用范围:
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551—2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
相关标准
相关部门
-
起草单位:
中国有色金属工业标准计量质量研究所
万向硅峰电子股份有限公司
有研半导体材料股份有限公司
宁波立立电子股份有限公司
-
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
GB/T 20228-2006
砷化镓单晶
-
YS/T 1160-2016
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
-
YS/T 223-1996
硒
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 32573-2016
硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
-
YS/T 15-1991
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
-
GB/T 31854-2015
光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法