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GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶

300mm monocrystalline silicon
基本信息
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
    本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
    本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。
  • 适用范围：
    本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
    本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
    GB/T1551—2009 硅单晶电阻率测定方法
    GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
    GB/T11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
    GB/T14140 硅片直径测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
    YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 1550 GB/T 1551-2009 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 1558 GB/T 11073-2007 GB/T 14140 GB/T 14264 YS/T 679
相关部门
  • 起草单位：
    中国有色金属工业标准计量质量研究所 万向硅峰电子股份有限公司 有研半导体材料股份有限公司 宁波立立电子股份有限公司
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
相关人员
暂无
关联标准