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YS/T 935-2013 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
Standard guide for analysis and reporting the impurity content and grade of high purity metallic sputtering targets for electronic thin film applications
基本信息
分类信息
ICS分类:
【
冶金(77)
有色金属产品(77.150)
其他有色金属产品(77.150.99)
】
CCS分类:
【
冶金(H)
有色金属及其合金产品(H60/69)
贵金属及其合金(H68)
】
行标分类:
描述信息
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准参照了ASTMF2113-01(2011)《电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量的分析及报告标准指南》。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。 本标准起草单位:有研亿金新材料股份有限公司。 本标准主要起草人:张涛、何金江、丁照崇、万小勇、徐建卫、廖赞、尚再艳、王欣平、熊晓东、吕保国。
适用范围:
本标准规定了电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材的纯度等级的定义方法、杂质含量分析方法、抽样规则及靶材纯度等级报告标准规范等内容。 本标准适用于电子薄膜用各类高纯金属溅射靶材(以下简称靶材)。其他对纯度有较高要求的靶材纯度等级、杂质含量分析及报告规范也可参照使用。
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GB/T20975(所有部分) 铝及铝合金化学分析方法 GB/T29658 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 YS/T871 高纯铝化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法 YS/T922 高纯铜化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
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