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GB/T 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求

Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic compatibility
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 30116-2013
  • 名称：
    半导体生产设施电磁兼容性要求
  • 英文名称：
    Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic compatibility
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2013-12-17
  • 实施日期：
    2014-04-15
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《铅锭》等320项国家标准和33项国家标准样品的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
    本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
    本标准起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院、安徽鑫阳电子有限公司。
    本标准主要起草人:黄英华、谭建国、刘军、周历群、钟华、冯亚彬。
  • 适用范围：
    本标准规定了为保证半导体生产设施与用于生产半导体器件的设备能一起可靠运行的电磁兼容性（EMC）要求。
    本标准适用于生产半导体器件的设施和设备，这些设施和设备涵盖所有的设施警报、安全、通信与控制系统、工艺设备、测量设备、自动化设备以及信息技术设备。
    本标准不适用于集成电路的封装与功能测试所采用的设备和设施，也不适用于可能在半导体生产过程中产生的静电。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB9254 信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法
    GB/T17626.2—2006 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
    GB/T17626.3—2006 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验
    GB/T17626.4—2008 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
    GB/T17626.5—2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验
    GB/T17626.16—2007 电磁兼容 试验和测量技术 0Hz~150kHz共模传导骚扰抗扰度试验
相关标准
  • 引用标准：
    GB 9254 GB/T 17626.2-2006 GB/T 17626.3-2006 GB/T 17626.4-2008 GB/T 17626.5-2008 GB/T 17626.16-2007
相关部门
  • 归口单位：
    203) 全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC
  • 主管部门：
    203) 全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC
  • 起草单位：
    工业和信息化部电子工业标准化研究院 安徽鑫阳电子有限公司
相关人员
暂无
关联标准