收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
Test method for measuring Boron and Aulminium in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry
基本信息
-
标准号：
GB/T 29851-2013
-
名称：
光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
英文名称：
Test method for measuring Boron and Aulminium in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry
-
状态：
现行
-
类型：
国家标准
-
性质：
推荐性
-
发布日期：
2013-11-12
-
实施日期：
2014-04-15
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【关于批准发布《坑木》等194项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:何友琴、马农农、王东雪、何秀坤、裴会川、冯亚彬、张雪囡。
-
适用范围：
本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国电子技术标准化研究院
天津市环欧半导体材料技术有限公司
信息产业专用材料质量监督检验中心
国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
GB/T 12965-1996
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
GB/T 25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶
-
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
-
YS/T 543-2015
半导体键合用铝-1%硅细丝
-
SJ/T 11488-2015
半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
-
GB/T 14139-2019
硅外延片
-
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 16595-1996
晶片通用网格规范
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
打开设置，点击
执行注册
