收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。
-
适用范围：
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。
本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国电子技术标准化研究院
天津市环欧半导体材料技术有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
信息产业专用材料质量监督检验中心
国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
GB/T 32573-2016
硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB 12694-1990
肉类加工厂卫生规范
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
GB/T 5238-2019
锗单晶和锗单晶片
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
YS/T 982-2014
氢化炉碳/碳复合材料U形发热体
-
GB/T 1555-1997
半导体单晶晶向测定方法
-
YS/T 724-2016
多晶硅用硅粉
打开设置，点击
执行注册
