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GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。
-
适用范围:
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。
本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
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引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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相关标准
相关部门
-
起草单位:
中国电子技术标准化研究院
天津市环欧半导体材料技术有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
信息产业专用材料质量监督检验中心
国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心
-
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
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