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GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法

Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 29850-2013
  • 名称：
    光伏电池用硅材料补偿度测量方法
  • 英文名称：
    Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2013-11-12
  • 实施日期：
    2014-04-15
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《坑木》等194项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
    本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
    本标准主要起草人:董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。
  • 适用范围：
    本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。
    本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
    GB/T29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 4326 GB/T 14264 GB/T 24581 GB/T 29057
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 天津市环欧半导体材料技术有限公司 无锡尚德太阳能电力有限公司 信息产业专用材料质量监督检验中心 国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
相关人员
暂无
关联标准