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GB/T 30118-2013 声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications―Specifications and measuring methods
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
频率控制和选择用压电器件与介质器件(31.140)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
电子元件(L10/34)
石英晶体、压电元件(L21)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准使用翻译法修改采用IEC62276:2005《声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法》。
本标准在采用国际标准时进行了修改。这些技术性差异用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。在附录C中给出了技术性差异及其原因的一览表以供参考。
本标准还作了下列编辑性修改:
———删除了IEC标准前言。
———在引用标准中,用GB/T3505《产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数》代替ISO4287;用GB/T2828.1《计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划》代替IEC60410;用GB/T3352《人造石英晶体 规范与使用指南》代替IEC60758;此外,还增加了GB/T6618《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。
———在图1中原文把第二基准面与基准面画成一样,是不正确的,产品加工中第二基准面应比基准面短,以便区分。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC182)归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团第二十六研究所、中国电子科技集团德清华莹电子有限公司、北京石晶光电科技有限公司。
本标准主要起草人:张小梅、蒋春健、吴兆刚、吴剑波、赵雄章、周洋舟。
-
适用范围:
本标准规定了人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶片等。
本标准适用于人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)滤波器和谐振器等基片材料。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划(ISO2859-1:1999,IDT)
GB/T3352 人造石英晶体 规范与使用指南(IEC60758:2008,MOD)
GB/T3505 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数(ISO4287:1997,IDT)
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
相关标准
相关部门
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归口单位:
全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC
182)
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主管部门:
全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC
182)
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起草单位:
中国电子科技集团第二十六研究所
中国电子科技集团德清华莹电子有限公司
北京石晶光电科技有限公司
相关人员
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