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GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范

Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 15877-2013
  • 名称：
    半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范
  • 英文名称：
    Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2013-12-31
  • 实施日期：
    2014-08-15
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《化学试剂甲醛溶液》等567项国家标准和45项国家标准样品的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电子学（31） 集成电路、微电子学（31.200） 】
  • CCS分类：
    【 电子元器件与信息技术（L） 微电路（L55/59） 半导体集成电路（L56） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求和试验方法及检验规则。
    本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列(DIP)封装引线框架(镀金及镀银)，单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 15877-1995
  • 引用标准：
    GB/T 2423.60-2008 GB/T 2828.1-2012 GB/T 7092 GB/T 14112-2015 GB/T 14113 SJ 20129
相关部门
  • 归口单位：
    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
  • 主管部门：
    工业和信息化部（电子）
  • 起草单位：
    宁波东盛集成电路元件有限公司
相关人员
暂无
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