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GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 14863-2013
  • 名称：
    用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
  • 英文名称：
    Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
  • 状态：
    废止
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2013-12-31
  • 实施日期：
    2014-08-15
  • 废止日期：
    2017-12-15
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《化学试剂甲醛溶液》等567项国家标准和45项国家标准样品的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准代替GB/T14863—1993《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》。
    本标准与GB/T14863—1993相比,主要有下列变化:
    ———增加了标准的“前言”;
    ———调整并增加了引用标准;
    ———对试验条件、试验方法进行了简化和调整;
    ———对附录进行了调整。
    本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
    本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
    本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
    本标准主要起草人:何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠。
    本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
    ———GB/T14863—1993。
  • 适用范围：
    本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
    本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录A）相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14141 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
    GB/T14146 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
    GB/T14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延厚度的红外反射测量方法
    SEMIMF110-1105 用磨角和染色技术测定硅外延或扩散层厚度的试验方法
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 14863-1993
  • 引用标准：
    GB/T 14141 GB/T 14146 GB/T 14847 SEMI MF110-1105
相关部门
  • 归口单位：
    中国电子技术标准化研究院
  • 主管部门：
    中国电子技术标准化研究院
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 中国电子科技集团公司第四十六研究所 信息产业部专用材料质量监督检验中心
相关人员
暂无
关联标准