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GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 30868-2014
  • 名称：
    碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
  • 英文名称：
    Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2014-07-24
  • 实施日期：
    2015-02-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《电气绝缘用漆 第6部分：环保型水性浸渍漆》等123项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
    本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
  • 适用范围：
    本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。
    本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 14264
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 材料分技术委员会(SAC/TC
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
关联标准