收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
-
适用范围：
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。
本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
YS/T 543-2006
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB/T 16596-2019
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 29850-2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB/T 26065-2010
硅单晶抛光试验片规范
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
打开设置，点击
执行注册
