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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 30867-2014
  • 名称：
    碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
  • 英文名称：
    Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2014-07-24
  • 实施日期：
    2015-02-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《电气绝缘用漆 第6部分：环保型水性浸渍漆》等123项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
    本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
  • 适用范围：
    本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。
    本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T25915.1—2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 14264 GB/T 25915.1-2010
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 材料分技术委员会(SAC/TC
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
关联标准