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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 30867-2014
  • 名称:
    碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
  • 英文名称:
    Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2014-07-24
  • 实施日期:
    2015-02-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《电气绝缘用漆 第6部分:环保型水性浸渍漆》等123项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 半导体材料(29.045)
  • CCS分类:
    冶金(H) 半金属与半导体材料(H80/84) 化合物半导体材料(H83)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
    本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
  • 适用范围:
    本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。
    本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。
  • 引用标准:
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T25915.1—2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 14264 GB/T 25915.1-2010
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 材料分技术委员会(SAC/TC
  • 起草单位:
    中国电子技术标准化研究院 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
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