收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、蔺娴、郝建民、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
-
适用范围：
本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。
本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11471-2014
发光二极管外延片测试方法
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 14140-2009
硅片直径测量方法
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
GB/T 16596-1996
确定晶片坐标系规范
-
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
-
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
YS/T 223-1996
硒
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 29850-2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
GB/T 26065-2010
硅单晶抛光试验片规范
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
打开设置，点击
执行注册
