收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片
Germanium substrate for solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由 全 国 半 导 体 设 备 和 材 料 标 准 化 技 术 委 员 会 (SAC/TC203)及 材 料 分 技 术 委 员 会
(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、厦门乾照光电有限公司、天津三安光电有限公司。
本标准主要起草人:孙小华、刘绍良、张莉萍、普世坤、王向武、林桂江。
-
适用范围:
本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。
本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6621 硅片表面平整度测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T26072 太阳能电池用锗单晶
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 29504-2013
300mm 硅单晶
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB 12964-1991
硅单晶抛光片