收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺。
-
适用范围：
本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191 包装储运图示标志
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
SJ/T11399 半导体二极管芯片测试方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 11070-2006
还原锗锭
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
YS/T 977-2014
单晶炉碳/碳复合材料保温筒
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
GB/T 29850-2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
-
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
打开设置，点击
执行注册
