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GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAs substrates for LED epitaxial chips基本信息
- 标准号:GB/T 30856-2014
- 名称:LED外延芯片用砷化镓衬底
- 英文名称:GaAs substrates for LED epitaxial chips
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2014-07-24
- 实施日期:2015-04-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司。
本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、于洪国、惠峰、赵坚强。 - 适用范围:本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。
本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。 - 引用标准:下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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相关部门
- 归口单位:2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 材料分技术委员会(SAC/TC
- 主管部门:国家标准化管理委员会
- 起草单位:中国科学院半导体研究所 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 有研光电新材料有限公司
相关人员
暂无
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