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GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
基本信息
分类信息
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ICS分类：
【
计量学和测量、物理现象（17）
长度和角度测量（17.040）
长度和角度测量综合（17.040.01）
】
-
CCS分类：
【
机械（J）
机械综合（J00/09）
基础标准与通用方法（J04）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
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前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由中国科学院提出。
本标准由全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC279)归口。
本标准起草单位:上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心。
本标准主要起草人:金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰
-
适用范围：
本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10 nm~1 000 nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。
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引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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