GB/T 14849.4-2014

工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法

Methods for chemical analysis of silicon metal―Part 4：Determination of impurity contents―Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method

现行

国家标准

推荐性

2014-12-05

2015-08-01

暂无

实施公告【关于批准发布《热交换器》等234项国家标准的公告】

暂无

GB/T14849《工业硅化学分析方法》分为9个部分:
———第1部分:铁含量的测定 1,10-二氮杂菲分光光度法;
———第2部分:铝含量的测定 铬天青-S分光光度法;
———第3部分:钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法、偶氮氯膦Ⅰ分光光度法;
———第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法;
———第5部分:杂质元素含量的测定 X射线荧光光谱法;
———第6部分:碳含量的测定 红外吸收法;
———第7部分:磷含量的测定 钼蓝分光光度法;
———第8部分:铜含量的测定 PADAP分光光度法;
———第9部分:钛含量的测定 二安替比林甲烷分光光度法。
本部分为 GB/T14849的第4部分。
本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分代替 GB/T14849.4—2008《工业硅化学分析方法 第4部分:电感耦合等离子体发射光谱法测定元素含量》。与 GB/T14849.4—2008相比,主要技术变化如下:
———增加了铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼的检测;
———增加了两种溶样方式;
———补充了重复性限、再现性限实验数据。
本部分由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本部分负责起草单位:昆明冶金研究院、中国铝业股份有限公司郑州研究院、昆明冶研新材料股份有限公司。
本部分参加起草单位:云南出入境检验检疫局技术中心、通标标准技术服务有限公司、浙江合盛硅业有限公司、云南永昌硅业股份有限公司。
本部分主要起 草 人:刘 维 理、王 劲 榕、李 跃 平、赵 德 平、杨 毅、赵 建 为、王 云 舟、王 宏 磊、聂 长 虹、刘英波、卢国洪、吴豫强、张云晖、谭少姬、程志武、周杰。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T14849.4—2008。

GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼量的测定。各元素测定范围见表1。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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GB/T 14849.4-2008

GB/T 6682 GB/T 8170

全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

中国有色金属工业协会

昆明冶金研究院 昆明冶研新材料股份有限公司 中国铝业股份有限公司郑州研究院