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GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 31351-2014
  • 名称：
    碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
  • 英文名称：
    Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2014-12-31
  • 实施日期：
    2015-09-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《复合橡胶 通用技术规范》等107项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
    本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲。
  • 适用范围：
    本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。
    本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
  • 起草单位：
    中国科学院物理研究所 北京天科合达蓝光半导体有限公司
相关人员
暂无
关联标准