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GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
金属材料的其他试验方法（77.040.99）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属无损检验方法（H26）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲。
-
适用范围：
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。
本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
-
起草单位：
中国科学院物理研究所
北京天科合达蓝光半导体有限公司
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