收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘春俊、刘振洲。
-
适用范围:
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T31351 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
DIN50448 半导体工艺材料试验 使用电容式探测器对半绝缘半导电切片电阻率的非接触测定
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
YS/T 979-2014
高纯三氧化二镓
-
GB/T 31092-2014
蓝宝石单晶晶锭
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
GB/T 2881-2008
工业硅
-
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
-
GB/T 2881-2014e
工业硅
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法