GB/T 30656-2014

碳化硅单晶抛光片

Polished monocrystalline silicon carbide wafers

现行

国家标准

推荐性

2014-12-31

2015-09-01

暂无

实施公告【关于批准发布《复合橡胶 通用技术规范》等107项国家标准的公告】

暂无

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘春俊、刘振洲。

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。
本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T31351 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
DIN50448 半导体工艺材料试验 使用电容式探测器对半绝缘半导电切片电阻率的非接触测定

GB/T 1555 GB/T 6616 GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6624 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 29505 GB/T 29507 GB/T 31351 DIN 50448

2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC

国家标准化管理委员会

中国科学院物理研究所 北京天科合达蓝光半导体有限公司