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GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

Test method for lattice constant of III-nitride epitaxial layers
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 30654-2014
  • 名称:
    Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
  • 英文名称:
    Test method for lattice constant of III-nitride epitaxial layers
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2014-12-31
  • 实施日期:
    2015-09-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《复合橡胶 通用技术规范》等107项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    冶金(77) 金属材料试验(77.040) 金属材料无损检测(77.040.20)
  • CCS分类:
    冶金(H) 金属理化性能试验方法(H20/29) 金属物理性能试验方法(H21)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
    本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。
  • 适用范围:
    本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。
    本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga, In, Al)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位:
    中国科学院半导体研究所
相关人员
暂无
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