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GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
Test method for crystal quality of III-nitride epitaxial layers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
金属材料无损检测（77.040.20）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。
-
适用范围：
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。
-
引用标准：
暂无
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