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YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯
Silicon core for polysilicon by improved siemens method
基本信息
分类信息
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ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
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行标分类：
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、无锡中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司。
本标准主要起草人:李军正、胡伟、张晓东、耿全荣、刘丹、陈晶、亢若谷、赵建为。
-
适用范围：
本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。
本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T11336 直线度误差检测
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质
GB/T29849 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
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