收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14112-2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范
Semiconductor integrated circuits—Specification for stamped leadframes of plastic DIP
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
集成电路、微电子学(31.200)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
微电路(L55/59)
半导体集成电路(L56)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T14112—1993《半导体集成电路 塑封双列封装冲制型引线框架规范》。
本标准与 GB/T14112—1993相比主要变化如下:
———关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由 GB/T2828.1—2012代替IEC410;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;
———增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义;
———标准“4.2引线框架形状和位置公差”中,增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的有关要求;
———修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1):原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm,本标准在整个标称长度上进行规定;
———修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm,
本标准根据材料的厚度进行规定;
———修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定;
———修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端点的最大扭曲值,本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定;
———修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6):在原标准的基础上,增加了最大精压深度与最小引线间距的相关要求;
———修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm,本标准修改为0.1mm;
———修改了标准中 对 “精 压 区 共 面 性”的 要 求 (见 4.2.8):原 标 准 中 规 定 了 引 线 框 架 条 宽 大 于50.8mm,精压区共面性为±0.25mm,本标准修改为±0.2mm;
———修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了受压和不受压情况下的斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm 尺寸最大倾斜0.05mm;
———对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整,原标准对引线框架外观要求按“功能区、其他区域”分别表示;本标准按“毛刺,凹坑、压痕和划痕”分别描述,并对原标准中“划痕”的要求适当加严,即在任何区域内“划痕”均不得超过1个;
———修改了标准中对“局部镀银”的要求(见4.4.1.2):原标准中规定镀银层厚度不小于3.5μm(平均值),本标准修改为不小于3μm;
———修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关要求;
———增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6);
———增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7);
———修改了标准中对“检验要求”的要求:修改了原标准中 A1a、A1b、A2分组的检测水平及 AQL,并对 A1a、A1b,B2a、B2b分组进行合并;原标准中 B 组采用 LTPD 抽样方案,本标准将 B1、B2、B3修改为 AQL抽样方案,并增加 C3、C4检验的抽样要求;
———修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为6个月(见7.2)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:厦门永红科技有限公司。
本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪玉云。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T14112—1993。
-
适用范围:
本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2423.60—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 U:引出端及整体安装件强度
GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T7092 半导体集成电路外形尺寸
GB/T14113 半导体集成电路封装术语
SJ20129 金属镀覆层厚度测量方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
SJ 50597/59-2003
半导体集成电路 JB523型宽带对数放大器详细规范
-
SJ 20158-1992
半导体集成电路JT54S151、JT54S153和JT54S157型S—TTL 数据选择器详细规范
-
GB/T 17024-1997
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第三篇 HCMOS数字集成电路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白详细规范
-
GB/T 14028-1992
半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
-
GB/T 14619-1993
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
-
SJ/Z 11355-2006
集成电路IP/SoC功能验证规范
-
GB/T 33922-2017
MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法
-
GB/T 16464-1996
半导体器件 集成电路 第1部分:总则
-
SJ/T 11702-2018
半导体集成电路 串行外设接口测试方法
-
SJ 50597/61-2005
半导体集成电路JW1083/JW1084/JW1085/JW1086型三端可调正输出低压差电压调整器详细规范
-
GB/T 12843-1991
半导体集成电路 微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理
-
GB/T 3432.3-1989
半导体集成电路TTL电路系列和品种 54/74S系列的品种
-
GB/T 4855-1984
半导体集成电路线性放大器系列和品种
-
SJ 20074-1992
半导体集成电路Jμ8255A型可编程外设接口详细规范
-
GB/T 6648-1986
半导体集成电路静态读/ 写存储器空白详细规范(可供认证用)
-
GB/T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法
-
GB/T 15877-2013
半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范
-
SJ 50597/63-2006
半导体集成电路JF124、JF124A型四运算放大器详细规范
-
GB/T 15295-1994
电缆分配系统用混合集成电路高频宽带放大器系列和品种
-
GB/T 20296-2006
集成电路记忆法与符号