收藏到云盘
纠错反馈
SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
基本信息
-
标准号:
SJ/T 11586-2016
-
名称:
半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
-
英文名称:
暂无
-
状态:
现行
-
类型:
行业标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2016-01-15
-
实施日期:
2016-06-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【2016年第7号(总第199号)】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
半导体分立器件(31.080)
半导体分立器件综合(31.080.01)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
半导体分立器件(L40/49)
半导体分立器件综合(L40)
】
-
行标分类:
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
SJ/T 10584-1994
微电子学光掩蔽技术术语
-
SJ/T 11408-2009
软件构件 图形用户界面图元构件描述规范
-
SJ/T 11467-2014
电子电气产品中的有害物质风险评估指南
-
SJ/T 11666.5-2016
制造执行系统(MES)规范 第5部分:产品开发
-
SJ/T 10250-1991
半导体集成电路CB565型模拟锁相环详细规范
-
SJ/T 10540-2013
永磁铁氧体成品、半成品化学分析方法
-
SJ/T 11294-2004
防静电地坪涂料通用规范
-
SJ/T 11666.4-2016
制造执行系统(MES)规范 第4部分:接口与信息交换
-
SJ 11301-2005
信息技术 通用多八位编码字符集(基本多文种平面)汉字12点阵压缩字型
-
SJ/T 11612-2016
电子元器件详细规范 CA30M型非固体电解质钽固定电容器 评定水平E
-
SJ/T 11461.5.3-2016
有机发光二极管显示器件 第5-3部分:残像和寿命的测试方法
-
SJ/T 11348-2006
数字电视平板显示器测量方法
-
SJ/T 1155-1993
敏感元器件及传感器型号命名方法
-
SJ/T 10066-1991
BT37型PN硅单结晶体管详细规范
-
SJ/T 10520-1994
塑料注射零件技术条件
-
SJ/T 11135-1997
TJC201型条形连接器规范
-
SJ/T 2658.10-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
-
SJ/T 10141-1991
低温电子学术语
-
SJ/T 10732-2000
电子管型号命名方法
-
JB/T 10096-2000
电力半导体器件管壳结构及选用导则