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SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
基本信息
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标准号：
SJ/T 11586-2016
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名称：
半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
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英文名称：
暂无
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状态：
现行
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类型：
行业标准
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性质：
推荐性
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发布日期：
2016-01-15
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实施日期：
2016-06-01
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废止日期：
暂无
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相关公告：
实施公告【2016年第7号(总第199号)】
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电子学（31）
半导体分立器件（31.080）
半导体分立器件综合（31.080.01）
】
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CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
半导体分立器件（L40/49）
半导体分立器件综合（L40）
】
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