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SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

基本信息
  • 标准号：
    SJ/T 11586-2016
  • 名称：
    半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
  • 英文名称：
    暂无
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    行业标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2016-01-15
  • 实施日期：
    2016-06-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【2016年第7号(总第199号)】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 起草单位：
    工业和信息化部电子第五研究所
相关人员
暂无
关联标准