收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 11297.9-2015 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法
Test method for dielectric tangent of loss angle of pyroelectric materials
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
电子元器件综合（31.020）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
电子设备与专用材料、零件、结构件（L90/94）
电子技术专用材料（L90）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分代替 GB/T11297.9—1989《热释电材料介质损耗角正切tanδ 的测 试 方 法》。本 部 分 与GB11297.9—1989相比,主要技术变化如下:
———修改了适用的频率范围(见第1章);
———修改了试样尺寸要求(见第6章,1989年版3.2);
———增加了测量引线的要求(见第7章);
———修改了频率最大允许误差(见第7章,1989年版4.2);
———修改了tanδ 值的测量最大允许误差(见第7章,1989年版4.1);
———修改了试样处理(见8.1,1989年版5.1);
———增加了“先将样品盒放入恒温器内,再将样品夹具接入样品盒内”和通过仪器的开路和短路校
准,直接测得试样的介质损耗角正切tanδ[见8.2b)~f)]。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所。
本部分主要起草人:姚春华、曹菲、董显林、王根水、王永龄。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T11297.9—1989。
-
适用范围：
本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100 Hz～100 kHz范围的介质损耗角正切tanδ的测量方法。
本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸锶钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介质损耗角正切tanδ，也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有机热释电材料的介质损耗角正切tanδ。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T11067 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
相关标准
-
代替标准：
GB/T 11297.9-1989
-
引用标准：
SJ/T 11067
相关部门
-
起草单位：
中国科学院上海硅酸盐研究所
-
归口单位：
工业和信息化部电子工业标准化研究院
-
主管部门：
工业和信息化部（电子）
相关人员
关联标准
-
JC/T 2397-2017
非制冷型红外探测器用热释电陶瓷
-
GB 11297.4-1989
掺钕钇铝石榴石激光棒长脉冲激光阈值及斜率效率的测量方法
-
GB/T 14620-2013
薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
-
SJ/T 11509-2015
液晶显示器用 ITO腐蚀液
-
GB/T 13843-1992
蓝宝石单晶抛光衬底片
-
SJ/T 11638-2016
电子化学品中颗粒的测试方法
-
SJ 2409-1983
DB-405电真空玻璃主要技术数据
-
SJ/T 11203-1999
液晶材料术语
-
DB42/T 1092-2015
湖北省锂离子电池用电解铜箔
-
GB/T 11446.10-1997
电子级水中细菌总数的滤膜培养测试方法
-
GB/T 31274-2014
电子电气产品限用物质管理体系 要求
-
GB/T 13965-1992
仪表元器件术语
-
GB 11293-1989
固体激光材料名词术语
-
SJ/T 3328.3-2016
电子产品用高纯石英砂 第3部分 灼烧失量的测定
-
SJ/T 11636-2016
电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法
-
GB/T 12633-1990
压电晶体性能测试术语
-
GB/T 29786-2013
电子电气产品中邻苯二甲酸酯的测定 气相色谱-质谱联用法
-
SJ 670-1983
DW-217电真空玻璃主要技术数据
-
GB/T 17711-1999
钇钡铜氧(123相)超导薄膜临界温度Tc的直流电阻试验方法
-
GB 11446.6-1989
电子级水中痕量二氧化硅的分光光度测试方法
打开设置，点击
执行注册
