收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 11297.9-2015 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法
Test method for dielectric tangent of loss angle of pyroelectric materials
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
电子元器件综合（31.020）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
电子设备与专用材料、零件、结构件（L90/94）
电子技术专用材料（L90）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分代替 GB/T11297.9—1989《热释电材料介质损耗角正切tanδ 的测 试 方 法》。本 部 分 与GB11297.9—1989相比,主要技术变化如下:
———修改了适用的频率范围(见第1章);
———修改了试样尺寸要求(见第6章,1989年版3.2);
———增加了测量引线的要求(见第7章);
———修改了频率最大允许误差(见第7章,1989年版4.2);
———修改了tanδ 值的测量最大允许误差(见第7章,1989年版4.1);
———修改了试样处理(见8.1,1989年版5.1);
———增加了“先将样品盒放入恒温器内,再将样品夹具接入样品盒内”和通过仪器的开路和短路校
准,直接测得试样的介质损耗角正切tanδ[见8.2b)~f)]。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所。
本部分主要起草人:姚春华、曹菲、董显林、王根水、王永龄。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T11297.9—1989。
-
适用范围：
本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100 Hz～100 kHz范围的介质损耗角正切tanδ的测量方法。
本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸锶钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介质损耗角正切tanδ，也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有机热释电材料的介质损耗角正切tanδ。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T11067 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
相关标准
-
代替标准：
GB/T 11297.9-1989
-
引用标准：
SJ/T 11067
相关部门
-
起草单位：
中国科学院上海硅酸盐研究所
-
归口单位：
工业和信息化部电子工业标准化研究院
-
主管部门：
工业和信息化部（电子）
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11104-2016
金电镀层规范
-
GB/T 32642-2016
平板显示器基板玻璃表面粗糙度的测量方法
-
SJ 668-1983
DW-221电真空玻璃主要技术数据
-
SJ/T 11184-1998
显影设备通用规范
-
GB/T 37760-2019
电子电气产品中全氟辛酸和全氟辛烷磺酸的测定 超高效液相色谱串联质谱法
-
SN/T 2004.4-2006
电子电气产品中铅、镉、铬、汞的测定 第4部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法
-
SN/T 2004.3-2005
电子电气产品中六价铬的测定 第3部分：二苯碳酰二肼分光光度法
-
GB/T 14120-1993
单孔轴套安装、轴控电子元件的安装尺寸
-
SJ/T 11130-1997
编织设备通用规范
-
SJ/T 3328.5-2016
电子产品用高纯石英砂 第5部分 铁的测定
-
GB/T 25495-2010
吸气剂金属释放特性测试方法
-
SJ/T 3201-2016
铝钎焊接头规范
-
GB/T 13415-1992
射频混频器总规范
-
SJ 5020/6-2005
RN1052型膜固定电阻网络详细规范
-
GB/T 32883-2016
电子电气产品中六溴环十二烷的测定 高效液相色谱-质谱法
-
SJ/T 11556-2015
用原子吸收光谱测定硝酸溶剂中银、金、钙、铜、铁、钾和钠的含量
-
GB/T 9531.5-1988
D 类瓷件技术条件
-
GB/T 5838.2-2015
荧光粉 第2部分：牌号
-
GB/T 15429-1995
电子设备用复塑铝板
-
GB/T 11446.8-1997
电子级水中总有机碳的测试方法
打开设置，点击
执行注册
