收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属化学分析方法（H10/19）
半金属及半导体材料分析方法（H17）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:
———修改了标准名称;
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T17170—1997。
-
适用范围：
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
-
代替标准：
GB/T 17170-1997
-
引用标准：
GB/T 14264
相关部门
相关人员
关联标准
-
SN/T 2083-2008
黄铜分析方法 火化原子发射光谱法
-
YS/T 602-2017
区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
-
YS/T 987-2014
氯硅烷中碳杂质的测定方法——甲基二氯氢硅的测定
-
GB/T 33763-2017
蓝宝石单晶位错密度测量方法
-
YS/T 519.4-2009
砷化学分析方法 第4部分：铋、锑、硫量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
-
DB62/T 2761-2017
甘肃省不锈钢除尘灰和铬质引流砂中多元素含量的测定 波长色散X-射线荧光光谱法
-
JB/T 10062-1999
超声探伤用探头 性能测试方法
-
GB/T 14142-2017
硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
-
CB/T 1209-1992
0Cr17Ni4Cu4Nb(17-4PH)马氏体沉淀硬化不锈钢金相检验
-
YS/T 226.10-1994
硒中硫量的测定(蒸馏还原吸光光度法)
-
GB/T 34210-2017
蓝宝石单晶晶向测定方法
-
GB/T 3658-1990
软磁合金交流磁性能测量方法
-
YS/T 37.5-2018
高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定铁量
-
YS/T 519.1-2006
砷化学分析方法 溴酸钾容量法测定砷量
-
YS/T 602-2007
区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
-
SN/T 2091-2008
进出口锑锭中铅、铜、铁、铋含量的测定 原子吸收光谱法
-
YS/T 1059-2015
硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法
-
GB/T 1550-2018
非本征半导体材料导电类型测试方法
-
YS/T 37.2-2018
高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量
-
GB/T 30869-2014
太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法
打开设置，点击
执行注册
