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GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 17170-2015
  • 名称：
    半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
  • 英文名称：
    Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2015-12-10
  • 实施日期：
    2016-07-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《内六角平圆头螺钉》等296项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。
    本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:
    ———修改了标准名称;
    ———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
    ———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;
    ———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
    ———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
    本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
    本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
    ———GB/T17170—1997。
  • 适用范围：
    本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 17170-1997
  • 引用标准：
    GB/T 14264
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位：
    天津市环欧半导体材料技术有限公司 信息产业专用材料质量监督检验中心 中国电子材料行业协会
相关人员
暂无
关联标准