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GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属化学分析方法（H10/19）
半金属及半导体材料分析方法（H17）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:
———修改了标准名称;
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T17170—1997。
-
适用范围：
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
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代替标准：
GB/T 17170-1997
-
引用标准：
GB/T 14264
相关部门
相关人员
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