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GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses—Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 13539.4-2016
  • 名称：
    低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
  • 英文名称：
    Low-voltage fuses—Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2016-04-25
  • 实施日期：
    2016-11-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《团体标准化 第1部分：良好行为指南》等203项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 13539.4-2009
  • 引用标准：
    IEC 60269-1:2006 IEC 60269-2:2006 IEC 60269-3 IEC 60417 ISO 3
  • 采用标准：
    IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 （等同采用 IDT）
相关部门
  • 提出部门：
    中国电器工业协会
  • 起草单位：
    上海电器科学研究院
  • 归口单位：
    全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)
  • 主管部门：
    全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)
相关人员
暂无
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