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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法

Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 32282-2015
  • 名称:
    氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
  • 英文名称:
    Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2015-12-10
  • 实施日期:
    2016-11-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《内六角平圆头螺钉》等296项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    冶金(77) 金属材料试验(77.040)
  • CCS分类:
    冶金(H) 金属理化性能试验方法(H20/29) 金属物理性能试验方法(H21)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。
    本标准主要起草人:曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科。
  • 适用范围:
    本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
    本标准适用于位错密度在1×103个/cm2~5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
  • 引用标准:
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所用的修改单)适用于本文件。
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相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 1554 GB/T 14264 GB/T 27788
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州纳维科技有限公司
相关人员
暂无
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