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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
基本信息
分类信息
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ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。
本标准主要起草人:曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科。
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适用范围：
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
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引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所用的修改单)适用于本文件。
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